司晨

发布时间:2018-11-07  浏览次数:

职务职称:副教授,博士生导师

所在单位:材料物理系

电子邮箱:sichen@buaa.edu.cn

个人主页:https://shi.buaa.edu.cn/si/zh_CN/index.htm





Ø 基本情况:

司晨,女,副教授,博士生导师,1987生于山西晋城市,2009年本科毕业于北京交通大学,2014年博士毕业于清华大学,曾于2012年和2017年分别在美国犹他大学和伦斯勒理工学院进行访问研究。研究领域为计算材料学,主要致力于利用第一原理计算、分子动力学等材料计算方法结合机器学习方法研究信息功能材料的结构和物性。截至2022年,已在Physical Review LettersAdvanced Functional MaterialsNano Letters等材料、物理领域著名期刊上发表SCI论文50余篇,被包括Science杂志在内的期刊总引用3000余次,4篇论文入选ESI高被引论文,入选2021年度英国皇家化学学会高被引作者。主持国家自然科学基金面上项目、青年项目、bat365中国在线平台官方网站青年拔尖人才支持计划等多项科研项目。

Ø 主讲课程:

研究生课程:《材料研究中的数学基础与应用》、《材料计算与设计特色实验》

本科生课程:《材料制备传输原理》、《材料物理特色实验》


Ø 研究方向:

1)低维纳米电子信息材料(超导材料、结构相变材料和磁性材料等)的物性调控

2)面向计算材料信息学的数据驱动的人工智能辅助的材料设计

3)能源材料的计算模拟与设计


Ø 教学科研成果:

代表性论文:

[1] Zhang, Kang; Zou, Nianlong; Ren, Yanru; Wu, Jizheng; Si, Chen*; Duan, Wenhui; Realization of Coexisting Charge Density Wave and Quantum Spin/Anomalous Hall State in Monolayer NbTe2, Advanced Functional Materials, 2022, 32: 2111675

[2] Xu, Shengnan; Si, Chen*; Li, Yang; Gu, Bing-Lin; Duan, Wenhui*; Valley Depolarization Dynamics in Monolayer Transition-Metal Dichalcogenides: Role of the Satellite Valley, Nano Letters, 2021, 21: 1785-1791

[3] Si, Chen; Choe, Dukhyun; Xie, Weiyu; Wang, Han; Sun, Zhimei; Bang, Junhyeok; Zhang, Shengbai; Photoinduced Vacancy Ordering and Phase Transition in MoTe2, Nano Letters, 2019, 19: 3612-3617

[4] Lian, Chao-Sheng; Si, Chen*; Duan, Wenhui*; Unveiling Charge-Density Wave, Superconductivity, and Their Competitive Nature in Two-Dimensional NbSe2, Nano Letters, 2018, 18: 2924-2929

[5] Si, Chen; Jin, Kyung-Hwan; Zhou, Jian; Sun, Zhimei; Liu, Feng ; Large-Gap Quantum Spin Hall State in MXenes: d-Band Topological Order in a Triangular Lattice, Nano Letters, 2016, 16:6584-6591

[6] Si, Chen; Liu, Zheng; Duan, Wenhui; Liu, Feng ; First-principles calculations on the effect of doping and biaxial tensile strain on electron-phonon coupling in graphene, Physical Review Letters, 2013, 111: 196802

[7] Si, Chen; Duan, Wenhui; Liu, Zheng; Liu, Feng ; Electronic strengthening of graphene by charge doping, Physical Review Letters, 2012, 109: 226802